Samsung запустила производство первых в мире модулей DDR4 объемом 128 ГБ
30 ноября 2015
Компания Samsung Electronics анонсировала запуск массового производства модулей DDR4 объемом 128 ГБ, построенных на базе технологии TSV. Память предназначена для установки в серверах предприятий и дата-центров.
TSV – технология будущего в создании модулей памяти
TSV (Through silicon via – переходные отверстия в кремнии) – передовая технология упаковки чипов. Она предполагает, что матрицы чипов DRAM, толщина которых составляет несколько микрон, соединяются электродами, вертикально проникающими сквозь микроскопические отверстия в них.
TSV – технология будущего в создании модулей памяти
TSV (Through silicon via – переходные отверстия в кремнии) – передовая технология упаковки чипов. Она предполагает, что матрицы чипов DRAM, толщина которых составляет несколько микрон, соединяются электродами, вертикально проникающими сквозь микроскопические отверстия в них.
Штабелирование (собирание чипов в стеки) для больших мощностей обладает очевидными преимуществами. Тем не менее, обычные методы упаковки, которые используют стандартное проводное соединение, не обеспечивают нужной скорости – а она особенно важна для корпоративных серверов, обрабатывающих большие объемы данных.
Традиционные матрицы, соединенные проводами, поставляются вместе с чипами буферизации данных, которые регулируют ввод/вывод информации, проходящей через каждый модуль DRAM. Новые модули памяти Samsung встраивают функции буферизации данных в мастер-чип в каждой микросхеме, что обеспечивает рост энергоэффективности и продуктивности работы. Новейшая 20-нанометровая технология Samsung, на базе которой построены чипы, также вносит свой вклад в улучшение качества каждого модуля.
Технология TSV совершила прорыв, ведь она позволяет поддерживать оптимальную производительность всех матриц в микросхеме, при этом уменьшая её физический размер. В свою очередь, матрицы могут быть уложены в более высокие стеки, ограничения на размер которых накладывает лишь максимально допустимая емкость микросхемы.
Как устроена память TSV DRAM емкостью 128 ГБ
В 2014 году Samsung показал первые в мире модули памяти 3D TSV DDR4 DRAM объемом 64 ГБ. Новое решение имеет тип RDIMM (регистровые двойные модули памяти) и является первой ласточкой в сфере памяти ультра-высокой емкости корпоративного формата. Модули DDR4, которые запускаются в производство, обладают не только максимальной вместительностью, но и наиболее высокой энергоэффективностью среди всех представленных на рынке моделей оперативной памяти DRAM. Они также обеспечивают проведение операций на наибольшей скорости и демонстрируют высокую надежность.
Каждый 128-гигабайтный модуль памяти TSV DDR4 RDIMM содержит 144 чипа DDR4, организованных в виде 36 пакетов DRAM емкостью 4 ГБ. Каждый из них, в свою очередь, включает четыре 8-гигабитных чипа, созданных на базе 20-нанометровой технологии и собранных по передовым технологиям упаковки памяти TSV.
Три ключевых преимущества новой технологии упаковки памяти
1. Максимальная емкость. Модули памяти Samsung TSV DDR4 в два раза вместительнее памяти DRAM предыдущего поколения для корпоративных серверов, при этом удовлетворяют тем же требованиям скорости передачи данных и надежности.
2. Повышение скорости. За счет сочетания технологии TSV и создания 8-гигабайтных матриц DRAM новые модули памяти Samsung способны не только хранить 128 ГБ данных, но и обеспечивать скорость её передачи до 2667 Мбит/с и 3200 Мбит/с.
3. Улучшение эффективности. Инновационный дизайн модулей памяти TSV DDR4 емкостью 128 ГБ обеспечивает рост производительности серверов.
Лучшее решение для корпоративных серверов и дата-центров
Самые современные модули памяти Samsung TSV DDR4 RDIMM емкостью 128 ГБ обладают низким энергопотреблением и скоростью передачи данных до 2400 Мбит/с. В сравнении с модулями предыдущего поколения, LRDIMM емкостью 64 ГБ, производительность новых комплектующих в два раза выше, а потребление энергии – ниже на 50%. Напомним, в LRDIMM стеки состоят из четырех пакетов, и они из-за обычного проводного соединения ограничены в плане мощности и скорости передачи данных.
Samsung стремится отвечать на растущие запросы рынка на оперативную память ультравысокой производительности путем ускорения создания модулей по TSV-технологии и быстро наращивает мощности по производству 20-нанометровых чипов DRAM емкостью 8 ГБ. В укреплении своего технологического лидерства и расширении рынка памяти премиум-уровня компания планирует предложить покупателям полный модельный ряд своих новых высокопроизводительных модулей TSV DRAM, в том числе модулей DIMM 128 ГБ со сниженной нагрузкой (LRDIMM), в течение ближайших нескольких недель.
Samsung намерена сохранить за собой технологическое лидерство на рынке путем создания модулей памяти TSV DRAM более высокой производительности. Это предполагает разработку комплектующих со скоростью передачи данных 2677 Мбит/с и 3200 Мбит/с и для установки в корпоративных серверах и дата-центрах, и для рядовых потребителей.
Свежие новости
Нам исполнилось 12 лет!
18 апреля
